全球NAND型快闪记忆体(Flash)大厂新1代制程逐渐进入紧锣密鼓倒数阶段，除三星电子(SAMSUNG Electronics)42奈米制程进度提前，英特尔(Intel)和美光(Micron)亦不甘示弱，立刻揭橥新1代NAND Flash技术由原本公布的35奈米，重新定调为34奈米，且第1颗32Gb MLC(Multi-Level Cell)晶片将提前于6月送样给客户，颇有与三星和东芝一别苗头意味，2008年下半全球NAND Flash市场势必将热闹非凡。

    三星、东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)3大阵营下1世代NAND Flash制程技术，均由40奈米制程切入，三星和东芝分别为42奈米和43奈米制程，海力士为48奈米制程，只有英特尔和美光阵营选择由40奈米制程以下切入，欲展现后发先至气势，藉由较低成本结构，全力攻占NAND Flash市场。

    记忆体业者表示，英特尔和美光对于下1世代NAND Flash制程技术，原本是定调在35奈米，且对于细节和进度均相当神秘低调，近期英特尔正式揭开神秘面纱，下1世代制程确定为34奈米，且将提前在6月送样给客户，2008年下半进入量产，力图与三星和东芝互别苗头。

    英特尔和美光所推出第1款采用34奈米制程产品为32Gb MLC晶片，由双方联手开发，并交由合资公司IM Flash生产制造，至于同样采用34奈米制程生产的SLC(Single-Level Cell)晶片，则会在2008年底前问世。

    记忆体业者指出，英特尔和美光正式进入34奈米制程世代，不仅是宣布NAND Flash新世代提前来临，亦将加快固态硬碟(SSD)解决方案导入笔记型电脑(NB)速度，以英特尔和美光34奈米制程来看，绝对可以大幅降低SSD成本结构。

    尽管过去在新世代制程技术上，跑最快的仍是新帝和东芝阵营，三星甫在本周Mobile Forum宣布42奈米制程产品，将提前在第2季末送样给客户，等于在NAND Flash市场开了第1枪，不过，在不到1周的时间，英特尔和美光阵营也宣布34奈米制程将问世及提前送样，整个NAND Flash市场火药味愈来愈浓厚。